一、【导读】 In2Se3作为二维（2D）铁电场效应晶体管（FE-FET）对于下一代内存计算很有吸引力。然而，2D In2Se3薄膜的大面积合成...
【研究背景】 由于低功耗，高速度和优越的可扩展性，忆阻器在非易失性存储器、逻辑器件和计算中的广泛应用。它通常是具有金属/电阻切换（RS）层/金属的夹层结构的双端...
